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半导体行业又迎来一位实力玩家!近日,韩国知名科技分析师Kurnal在社交平台X上发布深度爆料,指出日本半导体企业Rapidus正在全力进军2纳米先进制程赛道——而他们新开发的“2HP”工艺节点,在晶体管密度方面竟然直接叫板行业巨头台积电!
来看实打实的数据:Rapidus 2HP工艺的逻辑密度高达每平方毫米2.3731亿个晶体管。横向对比一下,台积电N2工艺的数据是2.3617亿,英特尔此前公布的18A工艺则约为1.8421亿。好家伙,Rapidus这次真没吹牛,在芯片集成密度这个关键指标上,它已经妥妥跻身全球第一梯队!
说起Rapidus,人家那可不是什么突然冒出来的野鸡小厂。它背后站着丰田、索尼、NTT、东芝等八家日本科技巨头,可以说是日本重回高端芯片制造领域的“国家队”成员之一。这次他们之所以能快速突破,关键是两大策略:一个是集中攻坚高密度标准单元设计,另一个是引入了全新的“单晶圆前端处理”技术。这种技术不像传统批量处理那么“粗放”,而更像定制手工——工程师可以逐片调试晶圆,满意后再放大生产,大大提升了研发灵活度和效率。
目前,Rapidus已经用阿斯麦的EUV光刻机成功制造出2纳米全环绕栅极(GAA)结构测试芯片,所有电气参数全部达标,技术验证阶段宣告成功!
按照官方路线图,Rapidus将在2026年初向合作客户发布工艺设计套件(PDK),方便芯片设计公司提前适配。而到2027年,其位于北海道千岁市的IIM-1芯片工厂将启动大规模量产,预计每月产能2.5万片晶圆,初步瞄准全球高端客户的需求。
不光拼参数,Rapidus还打算用“速度”和“柔性生产”打差异化。尽管2027年量产时其在制程节点方面可能仍稍落后于台积电,但他们承诺大幅压缩生产周期——从行业平均的120天缩短至50天左右,加急订单甚至只需要15天!这对AI加速芯片、自动驾驶芯片等需要快速迭代的产品来说,无疑具有强大吸引力。
为实现这个目标,Rapidus正在积极组建产业联盟,拉拢日月光等OSAT封装厂、新思等EDA工具商、IP供应商和材料企业共同参与。值得一提的是,该项目还拿到日本官方大量补贴,也引起了国际科技巨头的强烈兴趣。
不过话说回来,芯片制造毕竟是长周期、高复杂度的产业游戏,光有密度优势远远不够。能效水平、每瓦性能、产业链成熟度,以及最最关键的一点——可持续的高良品率,都将共同决定Rapidus能否真正从“技术验证”走向“市场成功”,并在全球竞争中站稳脚跟。
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